我国科学家开创第三类存储技术 写入速度比U盘快万倍

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2018-10-18

  4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片(拼版照片)。 (丁汀/新华社)近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。

这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。 北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。